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产品名称
138*190.5*0.32氮化硅基板

产品简介

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产品详情
  • 基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度,高韧性,高导热率,根据这些特性,产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。
  • 和氧化铝基板或氮化铝基板相比,约有两倍以上的抗弯强度。
  • 和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。
  • 高电绝缘性
  • 热膨胀系数与硅相近




氮化硅基板尺寸

主要项目

规格

指标

基板尺寸mm

100*100,114.3*114.3 ,138*190.5

±0.1mm

基板厚度

0.254,0.32,0.5,0.635,1.0

±0.02mm


氮化硅产品性能:

主要项目

ltem

单位

Unit

指标

Test Standard

颜色

Colour

s……

灰色

密度

Density

G/cm3

3.22

热导率

Thermal conductivity

25 W/(m.k)

80~85

介电常数

Dielectric constant

1 MHz

8~10

击穿强度
Dreakdown strength

Kv/mm

15

抗折强度

Flexural  Strength

Mpa

1000

维氏硬度

Vickers hardness

Gpa

≥15

翘曲度

warpage

(长边)

2

表面粗糙度

Surface roughness

um

0.2~0.4

热彭胀系数

Coefficient of thermal expansion 

10-6

20~300

2.7

300~800

3.2

体积电阻率
Volume resistivity

20.ù.cm

1014

基板材料特性




IGBT(绝缘栅双极型晶体管)


以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求,已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。





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