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ALN陶瓷基片表面覆铜方法
    随着电子元器件的发展,其结构原来越精密,电路集成度也越来越高,这就使得散热在电子封装中的要求也越来越高。覆铜陶瓷基片是功率模块封装中连接芯片和散热衬底的关键材料,已广泛用于混合动力模块、激光二极管和聚焦型光伏封装,在高频应用方面也体现出很大的应用价值。al2o3作为性价比很高的陶瓷基片,主要用于中低功率范围;而氮化铝电子封装基片具有高导热性,广泛应用于大功率电力电子器件。
    ALN陶瓷基片表面覆铜是基于al2o3表面直接覆铜(dcb)方法。在于铜封接之前,一般需要将ALN陶瓷基片在高温下(>1200℃)的空气气氛中氧化,以期在表面形成结构均匀且附着牢固的al2o3层,高温氧化工艺本身比较简单,但是能耗高、周期长。为了解决这个问题,需要一种新的ALN陶瓷基片表面覆铜方法。具体步骤如下:
    步骤一:将ALN陶瓷片放置在水溶液中进行水解,然后通过热处理,使得氮化铝表面水解产物分解成为al2o3陶瓷层;
    步骤二:将预氧化的cu与预处理的氮化铝表面相对贴合,在低于cu熔点温度下烧结,生成表面覆铜的ALN陶瓷基片。
    新的ALN陶瓷基片表面覆铜方法的特点是:
    1、通过水解和热处理手段在氮化铝表面形成al2o3陶瓷层;
    2、水解产物分解形成的al2o3陶瓷层晶型、厚度可控,有利于后续覆铜烧结。
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